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第一章 单元测试
1、 本征硅的费米能级位于：（ ）
A:
B:略偏向
C:略偏向
D:
答案: 略偏向
2、 硼掺杂的硅中，下列说法正确的是：（ ）
A:空穴浓度大于电子浓度
B:电子浓度大于空穴浓度
C:硅的晶体结构将发生改变
D:与磷掺杂硅的导电类型一致
答案: 空穴浓度大于电子浓度
3、 抑制离子注入工艺中沟道效应的方法有（ ）。
A:降低离子注入能量
B:衬底表面沉积非晶薄膜
C:升高衬底温度
D:倾斜衬底
答案: 衬底表面沉积非晶薄膜
,升高衬底温度
,倾斜衬底
4、 制造单晶硅衬底的方法包括（ ）。
A:直拉法
B:外延生长法
C:区域熔融法
D:氧化还原法
答案: 直拉法
,区域熔融法
5、 当硅中掺杂浓度越小时，费米能级越靠近Ei。（ ）
A:错
B:对
答案: 对
第二章 单元测试
1、 对于长沟道MOSFET器件，发生夹断后，下面说法中正确的是（ ）。
A:Vg继续增加，Id不会继续增大
B:沟道中漏极一侧的电位为0
C:
D:Vg≥Vd+Vth
答案: Vg继续增加，Id不会继续增大
,沟道中漏极一侧的电位为0
,Vg≥Vd+Vth
2、 沟道长度缩短有可能对MOSFET器件产生哪些影响（ ）。
A:阈值电压增大
B:器件的集成度增加
C:器件的漏极电流增大
D:器件的可靠性劣化
答案: 器件的集成度增加
,器件的漏极电流增大
,器件的可靠性劣化
3、 有关MOSFET器件亚阈值摆幅（S）的说法错误的是（ ）
A:
B:温度升高，亚阈值摆幅增大
C:亚阈值摆幅的单位是mV
D:
答案: 亚阈值摆幅的单位是mV
4、 有关MOSFET器件特征长度的说法正确的是（ ）
A:仅与器件的结构参数有关
B:沟道长度相等的器件，特征长度越小，DIBL越小
C:与器件的沟道长度呈正比
D:栅氧化层介电常数越厚，特征长度越小
答案: 沟道长度相等的器件，特征长度越小，DIBL越小
5、 MOSFET器件的阈值电压实际上是栅极MOS电容强反型区的起点。（ ）
A:对
B:错
答案: 对
第三章 单元测试
1、 下面有关浸没式光刻技术的说法，正确的是（ ）
A:能够增大物镜的数值孔径
B:由台积电的工程师林本坚发明
C:在目镜和衬底间填充水
D:能够减小光的波长
答案: 能够增大物镜的数值孔径
,由台积电的工程师林本坚发明
,能够减小光的波长
2、 相移光刻技术中，使光产生相位差的方法包括：（ ）
A:在掩膜板上的透光区域中添加移相器
B:减小未沉积铬区域的石英板厚度
C:利用整面透光的石英板，改变局部区域的厚度
D:改变石英掩膜板的倾斜角
答案: 在掩膜板上的透光区域中添加移相器
,减小未沉积铬区域的石英板厚度
,利用整面透光的石英板，改变局部区域的厚度
3、 根据瑞利判据得到的光刻分辨率极限，表达式为（ ）
A:
B:
C:
D:
答案:
4、 正光刻胶和负光刻胶中，光敏剂的作用分别是（ ）
A:交联催化剂，交联催化剂
B:交联催化剂，提供自由基
C:提供自由基，提供自由基
D:提供自由基，交联催化剂
答案: 提供自由基，交联催化剂
5、 光刻是集成电路制造过程中总成本最高的工艺。（ ）
A:错
B:对
答案: 对
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