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模拟电子技术（中南大学） 2024智慧树满分答案
第一章 单元测试
1、判断题：
BJT管的输入电阻比MOSFET的输入电阻高。
A:错
B:对
答案: 错
2、判断题：
稳压管的稳压作用是利用了PN结的反向截止特性。
A:对
B:错
答案: 错
3、单选题：
要实现BJT的放大作用，对发射结与集电结的要求是（ ）。
A:发射结反偏，集电结正偏
B:发射结正偏，集电结反偏
C:发射结正偏，集电结正偏
D:发射结反偏，集电结反偏
答案: 发射结正偏，集电结反偏
4、单选题：
工作在放大区的某晶体三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β 约为（ ）。
A:50
B:90
C:83
D:100
答案: 100
5、单选题：
在放大电路中，测得BJT管三个管脚电位分别为6V、6.7V、12V，则这三个管脚分别是（ ）。
A:C、E、B
B:C、B、E
C:E、B、C
D:E、C、B
答案: E、B、C
6、单选题：
A:4.3
B:5.7
C:73
D:8.7
答案: 5.7
7、单选题：
设某增强型N沟道MOS管UGS（th）=3V，试问当它的栅源电压uGS=2.5V时，该管处于 （ ）区。
A:截止
B:可变电阻
C:放大
D:击穿
答案: 截止
8、多选题：
A:b
B:d
C:c
D:a
答案: c;a
9、多选题：
A:c
B:a
C:b
D:d
答案: c;a
10、多选题：
A:c
B:a
C:d
D:b
答案: d;b
第二章 单元测试
1、判断题：
阻容耦合两级放大电路各级的Q点相互独立，所以可以各级独自计算各自的Q点。
A:对
B:错
答案: 对
2、判断题：
耗尽型NMOS管的多子与少子都参与导电。（ ）
A:对
B:错
答案: 错
3、单选题：
A:0.7
B:12
C:0.5
D:6
答案: 12
4、单选题：
设某增强型N沟道MOS管UGS（th）=3V，试问当它的栅源电压uGS=2.5V时，该管处于 （ ）状态。
A:放大
B:饱和
C:击穿
D:截止
答案: 截止
5、单选题：
A:5.7
B:6
C:4.03
D:4.24
答案: 4.03
6、单选题：
A:= -1200
B:=1200
C:<1200
D:>1200
答案: <1200
7、单选题：
A:100
B:40
C:10
答案: 100
8、多选题：
现有直接耦合基本放大电路如下,有电流放大作用的电路是（ ）。
A:共漏电路
B:共集电路
C:共射电路
D:共源电路
E:共基电路
答案: 共漏电路;共集电路;共射电路;共源电路
9、多选题：
A:
B:
C:
D:
答案: ;
;
10、多选题：
在多级放大电路下列三种三种耦合方式中，（ ）耦合不能放大直流信号。
A:阻容
B:变压器
C:直接
答案: 阻容;变压器
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